科華微電子亮相科技周

科華微電子亮相科技周

百年回望、崇尚科學、自立自強，2021年全國科技周近日開幕。北京科華微電子材料入選2021年北京市順義區科技活動周參展企業。

科華微電子248nm光刻膠新品在本屆科技周中亮相。順義區委常委、副區長徐曉俊、順義區科委黨組書記、主任袁日晨；科技企業代表、清華大學專家等出席啟動儀式。

KMP DK3050是高活化能體系的高分辨深紫外正性光刻膠，適用于12寸邏輯電路制程55nm節點的關鍵離子注入層，在光硅基底上有良好的工藝窗口和解析度，符合工藝需求的垂直形貌。
啟動儀式后，與會領導和嘉賓共同參觀了主題展廳?？萍贾茏?月24日開幕至5月28日結束。

北京科華微電子材料有限公司2010年承擔了國家02科技重大專項“248nm光刻膠研發與產業化”項目，2014年完成產業化正式形成銷售。十年間，北京科華的248nm光刻膠產品從無到有，從1款非關鍵層產品小批量銷售發展至今，科華微電子的KrF光刻膠產品應用涵蓋了AA/poly/metal關鍵層以及TM/TV、Implant 、Contact /Hole等，目前已有7款產品在客戶端形成批量銷售，進入中芯國際、上海華力微電子、長江存儲科技、武漢新芯、上海華虹宏力等國內主流用戶中批量使用；同時有5款新品在客戶端驗證。其中KMP DK1080榮獲第十二屆（2017年度）中國半導體創新產品和技術獎；KMP DK1089榮獲第二十二屆（2020年度）中國國際高新技術成果交易會優秀產品獎，科華微電子的248nm光刻膠已經進入了快速增長軌道。

KMP DK1081是低活化能體系的高分辨深紫外正性光刻膠，適用于8寸邏輯電路制程180nm節點的關鍵金屬層，同時適用于8寸邏輯130nm及12寸64層存儲的離子注入層，在光硅基底及抗反射層基底上都具有良好的工藝窗口和解析度。

KMP DK2060是低活化能體系的高分辨深紫外正性光刻膠，適用于8寸邏輯電路制程150nm節點的關鍵孔洞層，同時適用于12寸邏輯55nm及12寸64層存儲的非關鍵孔洞層，在光硅基底及抗反射層基底上都具有良好的工藝窗口和解析度。